SiO2 film i hollë termik me oksid silikoni 4 inç 6 inç 8 inç 12 inç

Përshkrim i shkurtër:

Ne mund të sigurojmë nënshtresë filmi të hollë superpërcjellës me temperaturë të lartë, filma të hollë magnetikë dhe substrate filmi të hollë ferroelektrik, kristal gjysmëpërçues, kristal optik, materiale kristali lazer, në të njëjtën kohë të sigurojmë orientim dhe universitete dhe institute kërkimore të huaja për të ofruar cilësi të lartë ( ultra të lëmuar, ultra i qetë, ultra i pastër)

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Prezantimi i kutisë së vaferës

Procesi kryesor i prodhimit të vaferave të silikonit të oksiduar zakonisht përfshin hapat e mëposhtëm: rritja monokristaline e silikonit, prerja në vafera, lustrimi, pastrimi dhe oksidimi.

Rritja monokristaline e silikonit: Së pari, silici monokristalor rritet në temperatura të larta me metoda të tilla si metoda Czochralski ose metoda e zonës së lundrimit.Kjo metodë mundëson përgatitjen e monokristaleve të silikonit me pastërti të lartë dhe integritet grilë.

Prerja në kubikë: Silici monokristalor i rritur është zakonisht në formë cilindrike dhe duhet të pritet në vafera të holla për t'u përdorur si një substrat vafere.Prerja zakonisht bëhet me një prerës diamanti.

Lustrim: Sipërfaqja e vaferës së prerë mund të jetë e pabarabartë dhe kërkon lustrim kimiko-mekanik për të marrë një sipërfaqe të lëmuar.

Pastrimi: Vaferi i lëmuar pastrohet për të hequr papastërtitë dhe pluhurin.

Oksidues: Më në fund, vaferat e silikonit futen në një furrë me temperaturë të lartë për trajtim oksidues për të formuar një shtresë mbrojtëse të dioksidit të silikonit për të përmirësuar vetitë e tij elektrike dhe forcën mekanike, si dhe për të shërbyer si një shtresë izoluese në qarqet e integruara.

Përdorimet kryesore të vaferave të silikonit të oksiduar përfshijnë prodhimin e qarqeve të integruara, prodhimin e qelizave diellore dhe prodhimin e pajisjeve të tjera elektronike.Vaferat e oksidit të silikonit përdoren gjerësisht në fushën e materialeve gjysmëpërçuese për shkak të vetive të tyre të shkëlqyera mekanike, stabilitetit dimensional dhe kimik, aftësisë për të vepruar në temperatura dhe presione të larta, si dhe vetive të mira izoluese dhe optike.

Përparësitë e tij përfshijnë një strukturë të plotë kristalore, përbërje të pastër kimike, dimensione të sakta, veti të mira mekanike, etj. Këto karakteristika i bëjnë vaferat e oksidit të silikonit veçanërisht të përshtatshme për prodhimin e qarqeve të integruara me performancë të lartë dhe pajisjeve të tjera mikroelektronike.