Meshë me dioksid silikoni Meshë me trashësi SiO2, e lëmuar, e parë dhe e shkallës së testimit

Meshë me dioksid silikoni Meshë me trashësi SiO2 e lëmuar, imazh i veçuar i klasës së parë dhe të testit

Përshkrim i shkurtër:

Oksidimi termik është rezultat i ekspozimit të një vafere silikoni ndaj një kombinimi të agjentëve oksidues dhe nxehtësisë për të krijuar një shtresë dioksidi silikoni (SiO2). Kompania jonë mund të personalizojë flaket e oksidit të silikonit me parametra të ndryshëm për klientët, me cilësi të shkëlqyer;trashësia e shtresës okside, kompaktësia, uniformiteti dhe orientimi i kristalit të rezistencës zbatohen të gjitha në përputhje me standardet kombëtare.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Prezantimi i kutisë së vaferës

Produkt	Vafera me oksid termik (Si+SiO2).
Metoda e prodhimit	LPCVD
Lustrim i sipërfaqes	SSP/DSP
Diametri	2 inç / 3 inç / 4 inç / 5 inç / 6 inç
Lloji	Lloji P / Lloji N
Trashësia e shtresës oksiduese	100 nm ~ 1000 nm
Orientim	<100> <111>
Rezistenca elektrike	0,001-25000 (Ω•cm)
Aplikacion	Përdoret për bartësin e mostrës së rrezatimit sinkrotron, veshjen PVD/CVD si substrat, mostrën e rritjes së spërkatjes së magnetronit, XRD, SEM,Forca atomike, spektroskopia infra të kuqe, spektroskopia e fluoreshencës dhe substrate të tjera testuese të analizës, substrate të rritjes epitaksiale të rrezeve molekulare, analiza me rreze X të gjysmëpërçuesve kristalorë

Vaferat e oksidit të silikonit janë filma të dioksidit të silikonit të rritura në sipërfaqen e vaferave të silikonit me anë të oksigjenit ose avullit të ujit në temperatura të larta (800°C~1150°C) duke përdorur një proces oksidimi termik me pajisje me tub furre me presion atmosferik.Trashësia e procesit varion nga 50 nanometra në 2 mikron, temperatura e procesit është deri në 1100 gradë Celsius, metoda e rritjes ndahet në dy lloje "oksigjen i lagësht" dhe "oksigjen i thatë".Oksidi termik është një shtresë oksidi "e rritur", e cila ka uniformitet më të lartë, densitet më të mirë dhe forcë dielektrike më të lartë se shtresat e oksidit të depozituara në CVD, duke rezultuar në cilësi superiore.

Oksidimi i thatë i oksigjenit

Silici reagon me oksigjenin dhe shtresa e oksidit lëviz vazhdimisht drejt shtresës së nënshtresës.Oksidimi i thatë duhet të kryhet në temperatura nga 850 deri në 1200°C, me ritme më të ulëta rritjeje dhe mund të përdoret për rritjen e portës së izoluar nga MOS.Oksidimi i thatë preferohet mbi oksidimin e lagësht kur kërkohet një shtresë oksidi silikoni me cilësi të lartë dhe ultra të hollë.Kapaciteti i oksidimit të thatë: 15nm~300nm.

2. Oksidimi i lagësht

Kjo metodë përdor avujt e ujit për të formuar një shtresë oksidi duke hyrë në tubin e furrës në kushte të temperaturës së lartë.Dendësia e oksidimit të oksigjenit të lagësht është pak më e keqe se oksidimi i thatë i oksigjenit, por në krahasim me oksidimin e thatë të oksigjenit, avantazhi i tij është se ka një shkallë më të lartë rritjeje, e përshtatshme për rritjen e filmit më shumë se 500 nm.Kapaciteti i oksidimit të lagësht: 500nm~2µm.

Tubi i furrës së oksidimit me presion atmosferik të AEMD është një tub furre horizontale çeke, i cili karakterizohet nga stabiliteti i lartë i procesit, uniformiteti i mirë i filmit dhe kontrolli superior i grimcave.Tubi i furrës së oksidit të silikonit mund të përpunojë deri në 50 vafera për tub, me uniformitet të shkëlqyeshëm brenda dhe ndërmjet vaferave.