Substrate SiC 3 inç Dia76,2 mm HPSI Prime Research dhe Dummy grade

Përshkrim i shkurtër:

Nënshtresa gjysmë izoluese i referohet rezistencës më të lartë se 100000Ω-cm substrati karabit silikoni, i përdorur kryesisht në prodhimin e pajisjeve të frekuencës mikrovalore të galiumit nitrid, është baza e fushës së komunikimit pa tel.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Nënshtresat e karbitit të silikonit mund të ndahen në dy kategori

Substrati përçues: i referohet rezistencës së nënshtresës së karbitit të silikonit 15~30mΩ-cm.Vaferi epitaksial i karbitit të silikonit i rritur nga nënshtresa përçuese e karbitit të silikonit mund të bëhet më tej në pajisje të energjisë, të cilat përdoren gjerësisht në automjetet me energji të reja, fotovoltaikë, rrjete inteligjente dhe transport hekurudhor.

Është një komponent bazë në fushën e komunikimit me valë.

Nënshtresat përçuese dhe gjysmë izoluese të karabit të silikonit përdoren në një gamë të gjerë pajisjesh elektronike dhe pajisjeve të energjisë, duke përfshirë, por pa u kufizuar në sa vijon:

Pajisjet gjysmëpërçuese me fuqi të lartë (përçuese): Nënshtresat e karbitit të silikonit kanë forcë të lartë të fushës së prishjes dhe përçueshmëri termike, dhe janë të përshtatshme për prodhimin e transistorëve dhe diodave me fuqi të lartë dhe pajisjeve të tjera.

Pajisjet elektronike RF (gjysmë të izoluara): Nënshtresat e karbitit të silikonit kanë shpejtësi të lartë komutimi dhe tolerancë të energjisë, të përshtatshme për aplikime të tilla si amplifikuesit e fuqisë RF, pajisjet me mikrovalë dhe ndërprerësit me frekuencë të lartë.

Pajisjet optoelektronike (gjysmë të izoluara): Nënshtresat e karbitit të silikonit kanë një hendek të gjerë energjie dhe qëndrueshmëri të lartë termike, të përshtatshme për të bërë fotodioda, qeliza diellore dhe dioda lazer dhe pajisje të tjera.

Sensorët e temperaturës (përçues): Nënshtresat e karbitit të silikonit kanë përçueshmëri të lartë termike dhe qëndrueshmëri termike, të përshtatshme për prodhimin e sensorëve të temperaturës së lartë dhe instrumenteve për matjen e temperaturës.

Procesi i prodhimit dhe aplikimi i nënshtresave përcjellëse dhe gjysmëizoluese të karbitit të silikonit ka një gamë të gjerë fushash dhe potencialesh, duke ofruar mundësi të reja për zhvillimin e pajisjeve elektronike dhe pajisjeve të energjisë.