Vafer 4H-gjysmë HPSI 2 inç SiC e nënshtresës Prodhimi Dummy Research

Vafer me substrate SiC 4H-gjysmë HPSI 2 inç, Klasa e prodhimit bedel Imazhi i veçuar

Përshkrim i shkurtër:

Vafera me substrate me një kristal karabit silikoni 2 inç është një material me performancë të lartë me veti fizike dhe kimike të jashtëzakonshme.Është bërë nga materiali monokristal i karbitit të silikonit me pastërti të lartë me përçueshmëri të shkëlqyer termike, stabilitet mekanik dhe rezistencë ndaj temperaturës së lartë.Falë procesit të përgatitjes me precizion të lartë dhe materialeve me cilësi të lartë, ky çip është një nga materialet e preferuara për përgatitjen e pajisjeve elektronike me performancë të lartë në shumë fusha.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Vafera SiC me substrate gjysmë izoluese të karbitit të silikonit

Nënshtresa e karbitit të silikonit ndahet kryesisht në llojin përçues dhe gjysmë izolues, nënshtresa e karbitit të silikonit përçues në nënshtresën e tipit n përdoret kryesisht për LED epitaksial me bazë GaN dhe pajisje të tjera optoelektronike, pajisje elektronike të fuqisë me bazë SiC, etj., dhe gjysmë- Nënshtresa izoluese e karbitit të silikonit SiC përdoret kryesisht për prodhimin epitaksial të pajisjeve me frekuencë radio me fuqi të lartë GaN.Përveç kësaj, gjysmë-izolimi me pastërti të lartë, HPSI dhe gjysmë izolimi SI është i ndryshëm, përqendrimi i bartësit me pastërti të lartë gjysmë izolimi prej 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, me lëvizshmëri të lartë të elektroneve;Gjysmë-izolimi është një materiale me rezistencë të lartë, rezistenca është shumë e lartë, zakonisht përdoret për substratet e pajisjes me mikrovalë, jo-përçuese.

Fletë e nënshtresës gjysmëizoluese të karbitit të silikonit Vafer SiC

Struktura kristalore e SiC përcakton fizikun e saj, në lidhje me Si dhe GaAs, SiC ka për vetitë fizike;gjerësia e brezit të ndaluar është e madhe, afër 3 herë ajo e Si, për të siguruar që pajisja të funksionojë në temperatura të larta nën besueshmërinë afatgjatë;Fuqia e fushës së prishjes është e lartë, është 1O herë ajo e Si, për të siguruar që kapaciteti i tensionit të pajisjes, të përmirësojë vlerën e tensionit të pajisjes;shkalla e elektroneve të ngopjes është e madhe, është 2 herë ajo e Si, për të rritur frekuencën dhe densitetin e fuqisë së pajisjes;Përçueshmëria termike është e lartë, më shumë se Si, përçueshmëria termike është e lartë, përçueshmëria termike është e lartë, përçueshmëria termike është e lartë, përçueshmëria termike është e lartë, më shumë se Si, përçueshmëria termike është e lartë, përçueshmëria termike është e lartë.Përçueshmëri e lartë termike, më shumë se 3 herë ajo e Si, duke rritur kapacitetin e shpërndarjes së nxehtësisë së pajisjes dhe duke realizuar miniaturizimin e pajisjes.