Vaferat SiC janë gjysmëpërçues të bërë nga karabit silikoni.Ky material u zhvillua në 1893 dhe është ideal për një sërë aplikimesh.Veçanërisht i përshtatshëm për diodat Schottky, diodat Schottky me barrierë bashkimi, çelsat dhe transistorët me efekt në terren metal-oksid-gjysmëpërçues.Për shkak të fortësisë së lartë, është një zgjedhje e shkëlqyer për komponentët elektronikë të fuqisë.
Aktualisht, ekzistojnë dy lloje kryesore të vaferave SiC.E para është një meshë e lëmuar, e cila është një meshë e vetme karabit silikoni.Është bërë nga kristale SiC me pastërti të lartë dhe mund të jetë 100 mm ose 150 mm në diametër.Përdoret në pajisjet elektronike me fuqi të lartë.Lloji i dytë është meshë epitaksiale me karabit silikoni kristal.Ky lloj vaferi bëhet duke shtuar në sipërfaqe një shtresë të vetme kristalesh karbide silikoni.Kjo metodë kërkon kontroll të saktë të trashësisë së materialit dhe njihet si epitaksia e tipit N.
Lloji tjetër është beta karabit i silikonit.Beta SiC prodhohet në temperatura mbi 1700 gradë Celsius.Karbidet alfa janë më të zakonshmet dhe kanë një strukturë kristalore gjashtëkëndore të ngjashme me wurtzite.Forma beta është e ngjashme me diamantin dhe përdoret në disa aplikacione.Ka qenë gjithmonë zgjedhja e parë për produktet gjysëm të gatshme të automjeteve elektrike.Disa furnizues të palëve të treta të vaferës së karbitit të silikonit janë duke punuar aktualisht në këtë material të ri.
Vaferat ZMSH SiC janë materiale gjysmëpërçuese shumë të njohura.Është një material gjysmëpërçues me cilësi të lartë që është i përshtatshëm për shumë aplikime.Vaferat me karabit silikoni ZMSH janë një material shumë i dobishëm për një sërë pajisjesh elektronike.ZMSH furnizon një gamë të gjerë vaferash dhe nënshtresash SiC me cilësi të lartë.Ato janë në dispozicion në forma të tipit N dhe gjysmë të izoluar.
2---Karbidi i silikonit: Drejt një epoke të re të vaferave
Vetitë fizike dhe karakteristikat e karabit të silikonit
Karbidi i silikonit ka një strukturë të veçantë kristalore, duke përdorur një strukturë gjashtëkëndore të ngushtë të ngjashme me diamantin.Kjo strukturë i mundëson karbitit të silikonit të ketë përçueshmëri të shkëlqyer termike dhe rezistencë ndaj temperaturave të larta.Krahasuar me materialet tradicionale të silikonit, karbidi i silikonit ka një gjerësi më të madhe të hendekut të brezit, e cila siguron hapësirë më të madhe të brezit elektronik, duke rezultuar në lëvizshmëri më të lartë të elektroneve dhe rrymë më të ulët rrjedhjeje.Përveç kësaj, karabidi i silikonit ka gjithashtu një shpejtësi më të lartë të lëvizjes së ngopjes së elektroneve dhe një rezistencë më të ulët të vetë materialit, duke siguruar performancë më të mirë për aplikime me fuqi të lartë.
Rastet e aplikimit dhe perspektivat e vaferave të karbitit të silikonit
Aplikacionet e elektronikës së energjisë
Meshë karabit silikoni ka perspektivë të gjerë aplikimi në fushën e elektronikës së energjisë.Për shkak të lëvizshmërisë së lartë të elektroneve dhe përçueshmërisë së shkëlqyer termike, vaferat SIC mund të përdoren për të prodhuar pajisje komutuese me densitet të lartë, të tilla si modulet e energjisë për automjetet elektrike dhe invertorët diellorë.Stabiliteti i temperaturës së lartë të vaferave të karbitit të silikonit u mundëson këtyre pajisjeve të funksionojnë në mjedise me temperaturë të lartë, duke ofruar efikasitet dhe besueshmëri më të madhe.
Aplikacione optoelektronike
Në fushën e pajisjeve optoelektronike, vaferat e karbitit të silikonit tregojnë avantazhet e tyre unike.Materiali i karbitit të silikonit ka karakteristika të hendekut të brezit të gjerë, gjë që i mundëson atij të arrijë energji të lartë të fotoneve dhe humbje të ulët të dritës në pajisjet optoelektronike.Vaferat e karbitit të silikonit mund të përdoren për të përgatitur pajisje komunikimi me shpejtësi të lartë, fotodetektorë dhe lazer.Përçueshmëria e tij e shkëlqyer termike dhe dendësia e ulët e defektit kristal e bëjnë atë ideal për përgatitjen e pajisjeve optoelektronike me cilësi të lartë.
Outlook
Me kërkesën në rritje për pajisje elektronike me performancë të lartë, vaferat e karbitit të silikonit kanë një të ardhme premtuese si një material me veti të shkëlqyera dhe potencial të gjerë aplikimi.Me përmirësimin e vazhdueshëm të teknologjisë së përgatitjes dhe uljen e kostos, do të promovohet aplikimi komercial i vaferave të karbitit të silikonit.Pritet që në vitet e ardhshme, vaferat e karbitit të silikonit të hyjnë gradualisht në treg dhe të bëhen zgjedhja kryesore për aplikime me fuqi të lartë, frekuencë të lartë dhe temperatura të larta.
3---Analizë e thelluar e tregut të vaferës SiC dhe tendencave të teknologjisë
Analizë e thelluar e drejtuesve të tregut të vaferës së karbitit të silikonit (SiC).
Rritja e tregut të vaferës së karbitit të silikonit (SiC) ndikohet nga disa faktorë kyç, dhe analiza e thelluar e ndikimit të këtyre faktorëve në treg është kritike.Këtu janë disa nga nxitësit kryesorë të tregut:
Kursimi i energjisë dhe mbrojtja e mjedisit: Karakteristikat e performancës së lartë dhe konsumit të ulët të energjisë të materialeve të karbitit të silikonit e bëjnë atë të njohur në fushën e kursimit të energjisë dhe mbrojtjen e mjedisit.Kërkesa për automjete elektrike, inverterë diellorë dhe pajisje të tjera të konvertimit të energjisë po nxit rritjen e tregut të vaferave të karbitit të silikonit pasi ndihmon në reduktimin e mbetjeve të energjisë.
Aplikimet e elektronikës së energjisë: Karbidi i silikonit shkëlqen në aplikimet e elektronikës së energjisë dhe mund të përdoret në elektronikën e energjisë nën presion të lartë dhe mjedise me temperaturë të lartë.Me popullarizimin e energjisë së rinovueshme dhe promovimin e tranzicionit të energjisë elektrike, kërkesa për vafera me karabit silikoni në tregun e elektronikës së energjisë vazhdon të rritet.
Analiza e detajuar e tendencave të zhvillimit të teknologjisë së prodhimit të ardhshëm SiC wafers
Prodhimi masiv dhe reduktimi i kostos: Prodhimi i ardhshëm i meshës SiC do të fokusohet më shumë në prodhimin masiv dhe uljen e kostos.Kjo përfshin teknika të përmirësuara të rritjes si depozitimi kimik i avullit (CVD) dhe depozitimi fizik i avullit (PVD) për të rritur produktivitetin dhe për të zvogëluar kostot e prodhimit.Përveç kësaj, adoptimi i proceseve inteligjente dhe të automatizuara të prodhimit pritet të përmirësojë më tej efikasitetin.
Madhësia dhe struktura e re e vaferës: Madhësia dhe struktura e vaferave SiC mund të ndryshojnë në të ardhmen për të përmbushur nevojat e aplikacioneve të ndryshme.Kjo mund të përfshijë vafera me diametër më të madh, struktura heterogjene ose vafera me shumë shtresa për të ofruar më shumë fleksibilitet të dizajnit dhe opsione të performancës.
Efikasiteti i Energjisë dhe Prodhimi i Gjelbër: Prodhimi i vaferave SiC në të ardhmen do të vendosë më shumë theks në efikasitetin e energjisë dhe prodhimin e gjelbër.Fabrikat e fuqizuara nga energjia e rinovueshme, materialet e gjelbra, riciklimi i mbetjeve dhe proceset e prodhimit me karbon të ulët do të bëhen tendenca në prodhim.
Koha e postimit: Jan-19-2024