Krahasuar me pajisjet e karbitit të silikonit, pajisjet e fuqisë së nitridit të galiumit do të kenë më shumë avantazhe në skenarët ku kërkohet efikasiteti, frekuenca, vëllimi dhe aspekte të tjera gjithëpërfshirëse në të njëjtën kohë, siç janë pajisjet me bazë nitridi galiumi janë aplikuar me sukses në fushën e karikimit të shpejtë në një shkallë të madhe.Me shpërthimin e aplikacioneve të reja në rrjedhën e poshtme, dhe përparimin e vazhdueshëm të teknologjisë së përgatitjes së substratit të nitridit të galiumit, pajisjet GaN pritet të vazhdojnë të rriten në vëllim dhe do të bëhen një nga teknologjitë kryesore për uljen e kostos dhe efikasitetin, zhvillimin e qëndrueshëm të gjelbër.
Aktualisht, gjenerata e tretë e materialeve gjysmëpërçuese është bërë një pjesë e rëndësishme e industrive strategjike në zhvillim, dhe po bëhet gjithashtu pika komanduese strategjike për të kapur gjeneratën e ardhshme të teknologjisë së informacionit, ruajtjes së energjisë dhe reduktimit të emetimeve dhe teknologjisë së sigurisë kombëtare të mbrojtjes.Midis tyre, nitridi i galiumit (GaN) është një nga materialet gjysmëpërçuese më përfaqësuese të gjeneratës së tretë si një material gjysmëpërçues me brez të gjerë me një hapësirë prej 3.4eV.
Më 3 korrik, Kina shtrëngoi eksportin e artikujve të lidhur me galiumin dhe germaniumin, i cili është një rregullim i rëndësishëm i politikës bazuar në atributin e rëndësishëm të galiumit, një metal i rrallë, si "kokrra e re e industrisë së gjysmëpërçuesve" dhe avantazhet e tij të gjerë të aplikimit në materiale gjysmëpërçuese, energji të re dhe fusha të tjera.Në funksion të këtij ndryshimi të politikës, ky punim do të diskutojë dhe analizojë nitridin e galiumit nga aspektet e teknologjisë së përgatitjes dhe sfidave, pikat e reja të rritjes në të ardhmen dhe modeli i konkurrencës.
Një hyrje e shkurtër:
Nitridi i galiumit është një lloj materiali gjysmëpërçues sintetik, i cili është një përfaqësues tipik i gjeneratës së tretë të materialeve gjysmëpërçuese.Krahasuar me materialet tradicionale të silikonit, nitridi i galiumit (GaN) ka avantazhet e brezit të madh, fushës elektrike të thyerjes së fortë, rezistencës së ulët, lëvizshmërisë së lartë të elektroneve, efikasitetit të lartë të konvertimit, përçueshmërisë së lartë termike dhe humbjes së ulët.
Njëkristali i nitridit të galiumit është një gjeneratë e re e materialeve gjysmëpërçuese me performancë të shkëlqyeshme, e cila mund të përdoret gjerësisht në komunikim, radar, elektronikë të konsumit, elektronikë të automobilave, energji elektrike, përpunim industrial me lazer, instrumente dhe fusha të tjera, kështu që zhvillimi dhe prodhimi i tij në masë janë fokusi i vëmendjes së vendeve dhe industrive në mbarë botën.
Aplikimi i GaN
Stacioni bazë i komunikimit 1--5G
Infrastruktura e komunikimit pa tela është zona kryesore e aplikimit të pajisjeve RF të nitridit të galiumit, që përbën 50%.
2--Furnizimi me energji të lartë
Tipari "lartësi e dyfishtë" i GaN ka një potencial të madh depërtimi në pajisjet elektronike të konsumit me performancë të lartë, të cilat mund të plotësojnë kërkesat e skenarëve të karikimit të shpejtë dhe mbrojtjes së karikimit.
3--Mjet me energji te re
Nga pikëpamja praktike e aplikimit, pajisjet e tanishme gjysmëpërçuese të gjeneratës së tretë në makinë janë kryesisht pajisje karabit silikoni, por ka materiale të përshtatshme të nitridit të galiumit që mund të kalojnë certifikimin e rregullimit të makinës të moduleve të pajisjeve të energjisë ose metoda të tjera të përshtatshme paketimi. ende të pranohet nga e gjithë uzina dhe prodhuesit OEM.
4--Qendra e të dhënave
Gjysmëpërçuesit e energjisë GaN përdoren kryesisht në njësitë e furnizimit me energji elektrike të PSU në qendrat e të dhënave.
Si përmbledhje, me shpërthimin e aplikacioneve të reja në rrjedhën e poshtme dhe përparimet e vazhdueshme në teknologjinë e përgatitjes së substratit të nitridit galium, pajisjet GaN pritet të vazhdojnë të rriten në vëllim dhe do të bëhen një nga teknologjitë kryesore për uljen e kostos dhe efikasitetin dhe zhvillimin e qëndrueshëm të gjelbër.
Koha e postimit: 27 korrik 2023