Më 26, Power Cube Semi njoftoi zhvillimin e suksesshëm të gjysmëpërçuesit të parë 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET të Koresë së Jugut.
Krahasuar me gjysmëpërçuesit ekzistues me bazë Si (Silicon), SiC (Karbidi i Silikonit) mund t'i rezistojë tensioneve më të larta, duke u përshëndetur si pajisja e gjeneratës së ardhshme që udhëheq të ardhmen e gjysmëpërçuesve të energjisë.Ai shërben si një komponent thelbësor i nevojshëm për futjen e teknologjive të fundit, të tilla si përhapja e automjeteve elektrike dhe zgjerimi i qendrave të të dhënave të drejtuara nga inteligjenca artificiale.
Power Cube Semi është një kompani fabless që zhvillon pajisje gjysmëpërçuese të energjisë në tre kategori kryesore: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon) dhe Ga2O3 (Oksid Galium).Kohët e fundit, kompania aplikoi dhe shiti Schottky Barrier Diodes (SBD) me kapacitet të lartë në një kompani globale të automjeteve elektrike në Kinë, duke fituar njohje për dizajnin dhe teknologjinë e saj gjysmëpërçuese.
Lëshimi i MOSFET SiC 2300V vlen të përmendet si rasti i parë i tillë zhvillimi në Korenë e Jugut.Infineon, një kompani globale gjysmëpërçuese e energjisë me bazë në Gjermani, njoftoi gjithashtu lançimin e produktit të saj 2000V në mars, por pa një linjë produktesh 2300V.
MOSFET CoolSiC 2000V i Infineon, duke përdorur paketën TO-247PLUS-4-HCC, plotëson kërkesën për rritjen e densitetit të energjisë midis projektuesve, duke siguruar besueshmërinë e sistemit edhe në kushte të rrepta të tensionit të lartë dhe frekuencës së komutimit.
CoolSiC MOSFET ofron një tension më të lartë të lidhjes së rrymës direkte, duke mundësuar rritjen e fuqisë pa rritur rrymën.Është pajisja e parë diskrete e karbitit të silikonit në treg me një tension prishjeje prej 2000 V, duke përdorur paketën TO-247PLUS-4-HCC me një distancë zvarritjeje prej 14 mm dhe një hapje prej 5.4 mm.Këto pajisje karakterizohen nga humbje të ulëta të ndërrimit dhe janë të përshtatshme për aplikime të tilla si inverterët e telit diellor, sistemet e ruajtjes së energjisë dhe karikimi i automjeteve elektrike.
Seria e produkteve CoolSiC MOSFET 2000V është e përshtatshme për sistemet e autobusëve DC me tension të lartë deri në 1500V DC.Krahasuar me MOSFET SiC 1700V, kjo pajisje siguron marzh të mjaftueshëm të mbitensionit për sistemet 1500V DC.CoolSiC MOSFET ofron një tension pragu 4,5 V dhe vjen i pajisur me dioda të forta trupore për ndërrim të vështirë.Me teknologjinë e lidhjes .XT, këta komponentë ofrojnë performancë të shkëlqyer termike dhe rezistencë të fortë ndaj lagështirës.
Përveç CoolSiC MOSFET 2000V, Infineon së shpejti do të lançojë diodat CoolSiC plotësuese të paketuara në paketat TO-247PLUS 4-pin dhe TO-247-2 në tremujorin e tretë të 2024 dhe tremujorin e fundit të 2024, respektivisht.Këto dioda janë veçanërisht të përshtatshme për aplikime diellore.Kombinimet e produkteve të përputhshme të drejtuesit të portës janë gjithashtu të disponueshme.
Seria e produkteve CoolSiC MOSFET 2000V është tashmë e disponueshme në treg.Për më tepër, Infineon ofron tabela të përshtatshme vlerësimi: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Zhvilluesit mund ta përdorin këtë tabelë si një platformë precize të përgjithshme testimi për të vlerësuar të gjithë MOSFET-et dhe diodat CoolSiC të vlerësuara në 2000V, si dhe drejtuesin kompakt të portës së izolimit me një kanal EiceDRIVER 1ED31xx, nëpërmjet funksionimit me puls të dyfishtë ose të vazhdueshëm PWM.
Gung Shin-soo, Shefi i Teknologjisë i Power Cube Semi, tha: "Ne ishim në gjendje të zgjeronim përvojën tonë ekzistuese në zhvillimin dhe prodhimin masiv të MOSFET-ve 1700V SiC në 2300V.
Koha e postimit: Prill-08-2024