Me diametër 300x1,0 mmt me trashësi safiri C-plane SSP/DSP

Përshkrim i shkurtër:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. mund të prodhojë vafera safiri me orientime të ndryshme sipërfaqësore (aeroplani c, r, a dhe m) dhe të kontrollojë këndin e prerjes brenda 0,1 gradë.Duke përdorur teknologjinë tonë të pronarit, ne jemi në gjendje të arrijmë cilësinë e lartë të nevojshme për aplikime të tilla si rritja epitaksiale dhe ngjitja e vaferës.


Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Prezantimi i kutisë së vaferës

Materialet Kristal 99,999% e Al2O3, Pastërti e lartë, monokristaline, Al2O3
Cilësia e kristalit Përfshirjet, shenjat e bllokut, binjakët, ngjyrat, mikroflluska dhe qendrat e shpërndarjes nuk ekzistojnë
Diametri 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç ~ 12 inç
50,8± 0,1 mm 76,2±0,2 mm 100±0.3 mm Në përputhje me dispozitat e prodhimit standard
Trashësia 430±15µm 550±15µm 650±20µm Mund të personalizohet nga klienti
Orientim rrafshi C (0001) në rrafshin M (1-100) ose aeroplan (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, rrafsh R (1-1 0 2), rrafsh A (1 1-2 0 ), rrafsh M (1-1 0 0), Çdo orientim , Çdo kënd
Gjatësia primare e sheshtë 16.0±1mm 22,0±1,0 mm 32,5±1,5 mm Në përputhje me dispozitat e prodhimit standard
Orientimi primar i sheshtë A-rrafsh (1 1-2 0 ) ± 0,2°      
TTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
LTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
TIR ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
PËRKUR ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
Deformoj ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
Sipërfaqja e përparme Epi-Poluar (Ra< 0,2 nm)

*Harku: Devijimi i pikës qendrore të sipërfaqes së mesme të një vafere të lirë, të pa shtrënguar nga rrafshi i referencës, ku rrafshi i referencës përcaktohet nga tre këndet e një trekëndëshi barabrinjës.

*Warp: Diferenca midis distancave maksimale dhe minimale të sipërfaqes mesatare të një vafere të lirë, të pambërthyer nga rrafshi i referencës i përcaktuar më sipër.

Produkte dhe shërbime me cilësi të lartë për pajisjet gjysmëpërçuese të gjeneratës së ardhshme dhe rritje epitaksiale:

Shkallë e lartë e sheshtë (TTV e kontrolluar, hark, deformim etj.)

Pastrim me cilësi të lartë (ndotje e ulët e grimcave, ndotje e ulët metalike)

Shpimi i nënshtresës, brazda, prerja dhe lustrimi i pjesës së pasme

Bashkëngjitja e të dhënave si pastërtia dhe forma e nënshtresës (opsionale)

Nëse keni nevojë për nënshtresa safiri, ju lutemi mos ngurroni të kontaktoni:

posta:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

Ne do të kthehemi tek ju sa më shpejt!

Diagrami i detajuar

vcs (2)
vcs (1)

  • E mëparshme:
  • Tjetër:

  • Shkruani mesazhin tuaj këtu dhe na dërgoni