GaN-On-Sapphire 6 inç

Përshkrim i shkurtër:

GaN 150 mm 6 inç në meshë silikoni/safir/SiC me shtresë epi-shtresore Meshë epitaksiale me nitrid galium

Vaferi i nënshtresës prej safiri 6 inç është një material gjysmëpërçues me cilësi të lartë i përbërë nga shtresa të nitridit të galiumit (GaN) të rritura në një substrat safiri.Materiali ka veti të shkëlqyera të transportit elektronik dhe është ideal për prodhimin e pajisjeve gjysmëpërçuese me fuqi dhe frekuencë të lartë.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

GaN 150 mm 6 inç në meshë silikoni/safir/SiC me shtresë epi-shtresore Meshë epitaksiale me nitrid galium

Metoda e prodhimit: Procesi i prodhimit përfshin rritjen e shtresave GaN në një nënshtresë safiri duke përdorur teknika të avancuara si depozitimi i avullit kimik metal-organik (MOCVD) ose epitaksi me rreze molekulare (MBE).Procesi i depozitimit kryhet në kushte të kontrolluara për të siguruar cilësi të lartë kristal dhe film uniform.

Aplikacionet GaN-On-Sapphire 6 inç: Çipat e nënshtresës së safirit 6 inç përdoren gjerësisht në komunikimet me mikrovalë, sistemet e radarëve, teknologjinë me valë dhe optoelektronikën.

Disa aplikacione të zakonshme përfshijnë

1. Përforcues i fuqisë Rf

2. Industria e ndriçimit LED

3. Pajisjet e komunikimit të rrjetit pa tela

4. Pajisje elektronike në mjedis me temperaturë të lartë

5. Pajisje optoelektronike

Specifikat e produktit

- Madhësia: Diametri i nënshtresës është 6 inç (rreth 150 mm).

- Cilësia e sipërfaqes: Sipërfaqja është lëmuar imët për të siguruar cilësi të shkëlqyer të pasqyrës.

- Trashësia: Trashësia e shtresës GaN mund të personalizohet sipas kërkesave specifike.

- Paketimi: Nënshtresa është e paketuar me kujdes me materiale antistatike për të parandaluar dëmtimin gjatë transportit.

- Skajet e pozicionimit: Nënshtresa ka skaje pozicionuese specifike që lehtësojnë shtrirjen dhe funksionimin gjatë përgatitjes së pajisjes.

- Parametra të tjerë: Parametrat specifikë si hollësia, rezistenca dhe përqendrimi i dopingut mund të rregullohen sipas kërkesave të klientit.

Me vetitë e tyre superiore të materialit dhe aplikimet e ndryshme, vaferat e nënshtresës prej safiri 6 inç janë një zgjedhje e besueshme për zhvillimin e pajisjeve gjysmëpërçuese me performancë të lartë në industri të ndryshme.

Nënshtresa	6” 1mm <111> p-tipi Si	6” 1mm <111> p-tipi Si
Epi i trashë mesatar	~ 5 um	~ 7 um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Përkuluni	+/-45um	+/-45um
Plasaritje	<5 mm	<5 mm
BV vertikale	> 1000 V	> 1400 V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT Mesatare e trashë	20-30 nm	20-30 nm
Kapak Insitu SiN	5-60 nm	5-60 nm
2 DEG konk.	~ 10¹³cm^-2	~ 10¹³cm^-2
Lëvizshmëria	~ 2000 cm²/Vs (<2%)	~ 2000 cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)