Vaferë me substrate 3 inç 76,2 mm 4H-Semi SiC Vafer SiC gjysmë fyese me karabit silikoni

Vaferë me nënshtresë 3 inç 76,2 mm 4H-Semi SiC Karbid silikoni Vafer SiC gjysmë fyese Imazhi i veçuar

Përshkrimi i shkurtër:

Meshë me një kristal SiC me cilësi të lartë (Silicon Carbide) për industrinë elektronike dhe optoelektronike. Vafera SiC 3 inç është një material gjysmëpërçues i gjeneratës së ardhshme, vafera gjysmë izoluese me karabit silikoni me diametër 3 inç. Vaferat janë të destinuara për prodhimin e pajisjeve elektrike, RF dhe optoelektronike.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Specifikimi i produktit

Vaferat e nënshtresës gjysmë të izoluar 3-inç 4H (karbit silikoni) janë një material gjysmëpërçues i përdorur zakonisht. 4H tregon një strukturë kristalore tetraheksaedral. Gjysmë-izolimi do të thotë që nënshtresa ka karakteristika të larta të rezistencës dhe mund të izolohet disi nga rrjedha e rrymës.

Vaferat e tilla të nënshtresës kanë këto karakteristika: përçueshmëri të lartë termike, humbje të ulët të përcjellshmërisë, rezistencë të shkëlqyer ndaj temperaturës së lartë dhe stabilitet të shkëlqyer mekanik dhe kimik. Për shkak se karbidi i silikonit ka një hendek të gjerë energjie dhe mund t'i rezistojë temperaturave të larta dhe kushteve të fushës elektrike të lartë, vaferat gjysmë të izoluara 4H-SiC përdoren gjerësisht në pajisjet elektronike të energjisë dhe frekuencave radio (RF).

Aplikimet kryesore të vaferave gjysmë të izoluara 4H-SiC përfshijnë:

1--Elektronika e fuqisë: Vaferat 4H-SiC mund të përdoren për të prodhuar pajisje komutuese të energjisë si MOSFET (Tranzistorë me efekt gjysmëpërçues me oksid metali), IGBT (Tranzistorë bipolarë me portë të izoluar) dhe dioda Schottky. Këto pajisje kanë humbje më të ulëta të përcjelljes dhe komutimit në mjedise me tension të lartë dhe temperaturë të lartë dhe ofrojnë efikasitet dhe besueshmëri më të lartë.

2--Pajisjet me frekuencë të radios (RF): Vaferat gjysmë të izoluara 4H-SiC mund të përdoren për të prodhuar amplifikatorë të fuqisë RF me fuqi të lartë, frekuencë të lartë, rezistorë çipi, filtra dhe pajisje të tjera. Karbidi i silikonit ka performancë më të mirë me frekuencë të lartë dhe stabilitet termik për shkak të shkallës më të madhe të zhvendosjes së ngopjes së elektroneve dhe përçueshmërisë më të lartë termike.

3--Pajisjet optoelektronike: Vaferat gjysmë të izoluara 4H-SiC mund të përdoren për të prodhuar dioda lazer me fuqi të lartë, detektorë të dritës UV dhe qarqe të integruara optoelektronike.

Për sa i përket drejtimit të tregut, kërkesa për vafera gjysmë të izoluara 4H-SiC po rritet me fushat në rritje të elektronikës së energjisë, RF dhe optoelektronikës. Kjo për faktin se karabit i silikonit ka një gamë të gjerë aplikimesh, duke përfshirë efikasitetin e energjisë, automjetet elektrike, energjinë e rinovueshme dhe komunikimet. Në të ardhmen, tregu për vaferat gjysmë të izoluara 4H-SiC mbetet shumë premtues dhe pritet të zëvendësojë materialet konvencionale të silikonit në aplikime të ndryshme.