SiC shufër 4H-N e tipit Dummy grade 2inç 3inç 4inç 6inç trashësi:＞10mm

Përshkrimi i shkurtër:

Shufra SiC e tipit 4H-N (grade dummy) është një material premium që përdoret në zhvillimin dhe testimin e pajisjeve të avancuara gjysmëpërçuese. Me vetitë e tij të fuqishme elektrike, termike dhe mekanike, është ideal për aplikime me fuqi të lartë dhe në temperaturë të lartë. Ky material është shumë i përshtatshëm për kërkime dhe zhvillim në elektronikën e energjisë, sistemet e automobilave dhe pajisjet industriale. I disponueshëm në madhësi të ndryshme, duke përfshirë diametrat 2-inç, 3-inç, 4-inç dhe 6-inç, kjo shufër është projektuar për të përmbushur kërkesat rigoroze të industrisë së gjysmëpërçuesve duke ofruar performancë dhe besueshmëri të shkëlqyer.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Aplikimi

Elektronika e energjisë:Përdoret në prodhimin e transistorëve të fuqisë me efikasitet të lartë, diodave dhe ndreqësve për aplikime industriale dhe automobilistike.

Automjetet elektrike (EV):Përdoret në prodhimin e moduleve të fuqisë për sistemet e lëvizjes elektrike, invertorët dhe karikuesit.

Sistemet e Energjisë së Rinovueshme:Thelbësore për zhvillimin e pajisjeve efikase të konvertimit të energjisë për sistemet e ruajtjes së energjisë diellore, erës dhe të energjisë.

Hapësira ajrore dhe mbrojtja:Aplikohet në komponentë me frekuencë të lartë dhe me fuqi të lartë, duke përfshirë sistemet e radarëve dhe komunikimet satelitore.

Sistemet e kontrollit industrial:Mbështet sensorë të avancuar dhe pajisje kontrolli në mjedise kërkuese.

Vetitë

përçueshmëri.
Opsionet e diametrit: 2-inç, 3-inç, 4-inç dhe 6-inç.
Trashësia: >10 mm, duke siguruar material të konsiderueshëm për prerjen dhe përpunimin e vaferës.
Lloji: Shkalla dummy, e përdorur kryesisht për testimin dhe zhvillimin jo të pajisjes.
Lloji i transportuesit: Lloji N, duke optimizuar materialin për pajisjet e fuqisë me performancë të lartë.
Përçueshmëria termike: E shkëlqyeshme, ideale për shpërndarje efikase të nxehtësisë në elektronikën e energjisë.
Rezistenca: Rezistencë e ulët, duke rritur përçueshmërinë dhe efikasitetin e pajisjeve.
Forca mekanike: E lartë, duke siguruar qëndrueshmëri dhe qëndrueshmëri nën stres dhe temperaturë të lartë.
Vetitë optike: Transparente në rrezen e dukshme UV, duke e bërë të përshtatshme për aplikime me sensorë optikë.
Dendësia e defektit: e ulët, duke kontribuar në cilësinë e lartë të pajisjeve të fabrikuara.
Specifikimi i shufrës SiC
Nota: Prodhimi;
Madhësia: 6 inç;
Diametri: 150.25mm +0.25:
Trashësia: >10 mm;
Orientimi i sipërfaqes:4° drejt<11-20>+0,2°:
Orientimi kryesor i sheshtë: <1-100>+5°:
Gjatësia primare e sheshtë:47.5mm+1.5;
Rezistenca: 0,015-0,02852:
Mikrotub: <0,5;
BPD: <2000;
TSD: <500;
Zonat politip : Asnjë;
Indencat Fdge :<3,:lmm gjerësia dhe thellësia;
Skajet e skajit: 3,
Paketimi: Kuti vafere;
Për porositë me shumicë ose personalizime specifike, çmimi mund të ndryshojë. Ju lutemi kontaktoni departamentin tonë të shitjeve për një kuotë të përshtatur bazuar në kërkesat dhe sasitë tuaja.