Produktet
-
P-lloj 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substrate 4inç 〈111〉± 0,5°Zero MPD
-
Nënshtresa SiC e tipit P 4H/6H-P 3C-N 4 inç me trashësi prej 350um Klasa e prodhimit Klasa dukuri
-
Vafer SiC 6 inç 4H/6H-P Klasa zero MPD Klasa e prodhimit Klasa dummy
-
Vafer SiC e tipit P 4H/6H-P 3C-N 6 inç trashësi 350 μm me orientim primar të sheshtë
-
Krah qeramik alumini me porosi Krahu robotik qeramik
-
Tub safiri KY Metoda i gjithi transparent I personalizueshëm
-
Al2O3 99,999% teh safiri me porosi transparente rezistente ndaj konsumit 38×4,5×0,3mmt
-
Transplantimi i flokëve me teh safiri mund të personalizohet për qëllime mjekësore
-
Lilac YAG pluhur i lëndës së parë vjollcë në magazinë
-
Procesi TVG në kuarc safir BF33 meshë Glass meshë me grusht
-
Vafer me silikon me një kristal si Lloji i nënshtresës N/P Opsionale me karabit silikoni
-
Substrate të përbëra SiC të tipit N Dia6inch Substrate monokristaline me cilësi të lartë dhe me cilësi të ulët