Rritja e një shtrese shtesë të atomeve të silikonit në një substrat vaferi silikoni ka disa përparësi:
Në proceset e silikonit CMOS, rritja epitaksiale (EPI) në nënshtresën e vaferit është një hap kritik i procesit.
1, Përmirësimi i cilësisë së kristalit
Defektet dhe papastërtitë fillestare të nënshtresës: Gjatë procesit të prodhimit, nënshtresa e vaferës mund të ketë defekte dhe papastërti të caktuara. Rritja e shtresës epitaksiale mund të prodhojë një shtresë silikoni monokristalor me cilësi të lartë me përqendrime të ulëta defektesh dhe papastërtish në nënshtresë, gjë që është thelbësore për prodhimin e mëvonshëm të pajisjes.
Struktura uniforme kristalore: Rritja epitaksiale siguron një strukturë kristalore më uniforme, duke reduktuar ndikimin e kufijve të kokrrizave dhe defekteve në materialin e nënshtresës, duke përmirësuar kështu cilësinë e përgjithshme kristalore të vaferit.
2, përmirëson performancën elektrike.
Optimizimi i karakteristikave të pajisjes: Duke rritur një shtresë epitaksiale në nënshtresë, përqendrimi i dopingut dhe lloji i silikonit mund të kontrollohen saktësisht, duke optimizuar performancën elektrike të pajisjes. Për shembull, dopingu i shtresës epitaksiale mund të rregullohet mirë për të kontrolluar tensionin e pragut të MOSFET-ve dhe parametrave të tjerë elektrikë.
Reduktimi i rrymës së rrjedhjes: Një shtresë epitaksiale me cilësi të lartë ka një densitet më të ulët të defektit, gjë që ndihmon në reduktimin e rrymës së rrjedhjes në pajisje, duke përmirësuar kështu performancën dhe besueshmërinë e pajisjes.
3, përmirëson performancën elektrike.
Zvogëlimi i madhësisë së funksionit: Në nyjet më të vogla të procesit (të tilla si 7nm, 5nm), madhësia e veçorive të pajisjeve vazhdon të tkurret, duke kërkuar materiale më të rafinuara dhe me cilësi të lartë. Teknologjia e rritjes epitaksiale mund të përmbushë këto kërkesa, duke mbështetur prodhimin e qarqeve të integruara me performancë të lartë dhe me densitet të lartë.
Rritja e tensionit të prishjes: Shtresat epitaksiale mund të projektohen me tensione më të larta të avarive, gjë që është kritike për prodhimin e pajisjeve me fuqi të lartë dhe me tension të lartë. Për shembull, në pajisjet e energjisë, shtresat epitaksiale mund të përmirësojnë tensionin e prishjes së pajisjes, duke rritur gamën e sigurt të funksionimit.
4, Përputhshmëria e procesit dhe strukturat me shumë shtresa
Strukturat me shumë shtresa: Teknologjia e rritjes epitaksiale lejon rritjen e strukturave me shumë shtresa në nënshtresa, me shtresa të ndryshme që kanë përqendrime dhe lloje të ndryshme dopingu. Kjo është shumë e dobishme për prodhimin e pajisjeve komplekse CMOS dhe për të mundësuar integrimin tredimensional.
Përputhshmëria: Procesi epitaksial i rritjes është shumë i pajtueshëm me proceset ekzistuese të prodhimit CMOS, duke e bërë të lehtë integrimin në rrjedhat aktuale të punës së prodhimit pa pasur nevojë për modifikime të rëndësishme në linjat e procesit.
Përmbledhje: Aplikimi i rritjes epitaksiale në proceset e silikonit CMOS synon kryesisht të përmirësojë cilësinë e kristalit të vaferës, të optimizojë performancën elektrike të pajisjes, të mbështesë nyjet e avancuara të procesit dhe të përmbushë kërkesat e prodhimit të qarkut të integruar me performancë të lartë dhe me densitet të lartë. Teknologjia e rritjes epitaksiale lejon kontrollin e saktë të dopingut dhe strukturës së materialit, duke përmirësuar performancën e përgjithshme dhe besueshmërinë e pajisjeve.
Koha e postimit: Tetor-16-2024