Lajme
-
Aplikime të substratit të karbidit të silikonit përçues dhe gjysmë të izoluar
Substrati i karbidit të silikonit ndahet në llojin gjysmë-izolues dhe llojin përçues. Aktualisht, specifikimi kryesor i produkteve të substratit gjysmë-izolues të karbidit të silikonit është 4 inç. Në materialin përçues të karbidit të silikonit...Lexo më shumë -
A ka edhe ndryshime në aplikimin e pllakave të safirit me orientime të ndryshme kristalesh?
Safiri është një kristal i vetëm i aluminit, i përket sistemit kristalor trepalësh, strukturës gjashtëkëndore, struktura e tij kristalore është e përbërë nga tre atome oksigjeni dhe dy atome alumini në llojin e lidhjes kovalente, të rregulluar shumë afër, me zinxhir të fortë lidhjeje dhe energji rrjete, ndërsa integrimi i tij kristalor...Lexo më shumë -
Cili është ndryshimi midis substratit përçues SiC dhe substratit gjysmë të izoluar?
Pajisja e karabit të silikonit SiC i referohet pajisjes së bërë nga karabiti i silikonit si lëndë e parë. Sipas vetive të ndryshme të rezistencës, ajo ndahet në pajisje përçuese të energjisë nga karabiti i silikonit dhe pajisje RF gjysmë të izoluara nga karabiti i silikonit. Format kryesore të pajisjes dhe...Lexo më shumë -
Një artikull ju udhëheq në një master të TGV
Çfarë është TGV? TGV, (Through-Glass via), një teknologji e krijimit të vrimave në një substrat qelqi. Me fjalë të thjeshta, TGV është një ndërtesë e lartë që shpon, mbush dhe lidh lart e poshtë xhamin për të ndërtuar qarqe të integruara në dyshemenë e qelqit...Lexo më shumë -
Cilat janë treguesit e vlerësimit të cilësisë së sipërfaqes së napolitanës?
Me zhvillimin e vazhdueshëm të teknologjisë gjysmëpërçuese, në industrinë gjysmëpërçuese dhe madje edhe në industrinë fotovoltaike, kërkesat për cilësinë e sipërfaqes së substratit të pllakës ose fletës epitaksiale janë gjithashtu shumë të rrepta. Pra, cilat janë kërkesat e cilësisë për...Lexo më shumë -
Sa dini rreth procesit të rritjes së kristalit të vetëm SiC?
Karbidi i silicit (SiC), si një lloj materiali gjysmëpërçues me boshllëk të gjerë brezash, luan një rol gjithnjë e më të rëndësishëm në zbatimin e shkencës dhe teknologjisë moderne. Karbidi i silicit ka stabilitet të shkëlqyer termik, tolerancë të lartë ndaj fushës elektrike, përçueshmëri të qëllimshme dhe...Lexo më shumë -
Beteja e jashtëzakonshme e substrateve vendase të SiC-së
Në vitet e fundit, me depërtimin e vazhdueshëm të aplikacioneve të rrjedhës së poshtme, siç janë automjetet me energji të re, gjenerimi i energjisë fotovoltaike dhe ruajtja e energjisë, SiC, si një material i ri gjysmëpërçues, luan një rol të rëndësishëm në këto fusha. Sipas...Lexo më shumë -
MOSFET SiC, 2300 volt.
Më 26, Power Cube Semi njoftoi zhvillimin me sukses të gjysmëpërçuesit të parë MOSFET SiC (karabit silikoni) 2300V të Koresë së Jugut. Krahasuar me gjysmëpërçuesit ekzistues me bazë Si (silikoni), SiC (karabiti silikoni) mund t'i rezistojë tensioneve më të larta, prandaj cilësohet si...Lexo më shumë -
A është rimëkëmbja e gjysmëpërçuesve vetëm një iluzion?
Nga viti 2021 deri në vitin 2022, pati një rritje të shpejtë në tregun global të gjysmëpërçuesve për shkak të shfaqjes së kërkesave të veçanta që rezultuan nga shpërthimi i COVID-19. Megjithatë, ndërsa kërkesat e veçanta të shkaktuara nga pandemia COVID-19 përfunduan në gjysmën e dytë të vitit 2022 dhe u zhytën në ...Lexo më shumë -
Në vitin 2024, shpenzimet kapitale për gjysmëpërçuesit ranë
Të mërkurën, Presidenti Biden njoftoi një marrëveshje për t'i siguruar Intel 8.5 miliardë dollarë financim të drejtpërdrejtë dhe 11 miliardë dollarë kredi sipas Aktit CHIPS dhe Shkencës. Intel do ta përdorë këtë financim për fabrikat e saj të pllakave të pllakave në Arizona, Ohio, New Mexico dhe Oregon. Siç është raportuar në...Lexo më shumë -
Çfarë është një pllakë SiC?
Pllakat SiC janë gjysmëpërçues të bërë nga karbidi i silikonit. Ky material u zhvillua në vitin 1893 dhe është ideal për një sërë aplikimesh. Veçanërisht i përshtatshëm për diodat Schottky, diodat Schottky me barrierë kryqëzimi, çelësat dhe tranzicionet me efekt fushe metal-oksid-gjysmëpërçues...Lexo më shumë -
Interpretim i thelluar i gjysmëpërçuesit të gjeneratës së tretë - karbidi i silikonit
Hyrje në karbidin e silicit Karbidi i silicit (SiC) është një material gjysmëpërçues i përbërë nga karboni dhe silici, i cili është një nga materialet ideale për prodhimin e pajisjeve me temperaturë të lartë, frekuencë të lartë, fuqi të lartë dhe tension të lartë. Krahasuar me pajisjet tradicionale ...Lexo më shumë