Substrati i pllakës epitaksiale GaAs me fuqi të lartë, gjatësi vale lazeri me fuqi 905nm, pllakë arsenid galiumi, për trajtim mjekësor me lazer

Substrati i pllakës epitaksiale GaAs me fuqi të lartë, gjatësia e valës së lazerit të fuqishëm të pllakës së arsenidit të galiumit, 905nm, për trajtim mjekësor me lazer. Imazh i paraqitur

Përshkrim i shkurtër:

Fleta epitaksiale me lazer GaAs i referohet një materiali të hollë filmi me kristal të vetëm të formuar nga teknologjia e rritjes epitaksiale në një substrat të arsenidit të galiumit (GaAs), i cili përdoret për të prodhuar pajisje optoelektronike siç janë lazerët.
Lazerët e fuqisë GaAs 905 dhe çipat epitaksialë me fuqi të lartë GaAs janë lazerë të bazuar në materiale të arsenidit të galiumit (GaAs) dhe përdoren gjerësisht në shumë fusha. Pllaka epitaksiale MOCVD përdoret kryesisht në diodën lazer me fuqi të lartë. Pusi kuantik InGaAs përdoret si shtresë aktive. Pllaka epitaksiale analizohet me PL, XRD, ECV dhe metoda të tjera testimi. Lazerët e fuqisë GaAs 905 dhe çipat epitaksialë me fuqi të lartë GaAs përdoren gjerësisht në kërkimin mjekësor, industrial, shkencor dhe fusha të tjera për shkak të efikasitetit të tyre të lartë, prodhimit të fuqisë së lartë dhe performancës së mirë termike, dhe kanë vlerë të rëndësishme tregu dhe potencial teknik.

Na dërgoni email

Karakteristikat

Karakteristikat kryesore të fletës epitaksiale lazer GaAs përfshijnë:

1. Lëvizshmëri e lartë e elektroneve: Arsenuri i galiumit ka lëvizshmëri të lartë të elektroneve, gjë që i bën pllakat epitaksiale lazer GaAs të kenë zbatime të mira në pajisjet me frekuencë të lartë dhe pajisjet elektronike me shpejtësi të lartë.
2. Lumineshenca e tranzicionit të drejtpërdrejtë të boshllëkut të brezit: Si një material i drejtpërdrejtë i boshllëkut të brezit, arsenuri i galiumit mund ta shndërrojë në mënyrë efikase energjinë elektrike në energji të dritës në pajisjet optoelektronike, duke e bërë atë ideal për prodhimin e lazerëve.
3. Gjatësia e valës: Lazerët GaAs 905 zakonisht funksionojnë në 905 nm, duke i bërë ata të përshtatshëm për shumë aplikime, duke përfshirë biomjekësinë.
4. Efikasitet i lartë: me efikasitet të lartë të konvertimit fotoelektrik, mund të konvertojë në mënyrë efektive energjinë elektrike në dalje lazeri.
5. Prodhim i lartë i fuqisë: Mund të arrijë prodhim të lartë të fuqisë dhe është i përshtatshëm për skenarë aplikimi që kërkojnë një burim të fortë drite.
6. Performancë e mirë termike: Materiali GaAs ka përçueshmëri të mirë termike, duke ndihmuar në uljen e temperaturës së funksionimit të lazerit dhe përmirësimin e stabilitetit.
7. Akordueshmëri e gjerë: Fuqia e daljes mund të rregullohet duke ndryshuar rrymën e makinës për t'u përshtatur me kërkesat e ndryshme të aplikimit.

Zbatimet kryesore të tabletave epitaksiale me lazer GaAs përfshijnë:

1. Komunikimi me fibra optike: Fleta epitaksiale lazeri GaAs mund të përdoret për të prodhuar lazerë në komunikimin me fibra optike për të arritur transmetim të sinjalit optik me shpejtësi të lartë dhe në distanca të gjata.

2. Zbatime industriale: Në fushën industriale, fletët epitaksiale lazer GaAs mund të përdoren për matjen me lazer, shënjimin me lazer dhe zbatime të tjera.

3. VCSEL: Lazeri që lëshon sipërfaqe me zgavër vertikale (VCSEL) është një fushë e rëndësishme aplikimi e fletës epitaksiale lazer GaAs, e cila përdoret gjerësisht në komunikimin optik, ruajtjen optike dhe ndjeshmërinë optike.

4. Fusha infra të kuqe dhe fusha pikale: Fleta epitaksiale lazer GaAs mund të përdoret gjithashtu për të prodhuar lazerë infra të kuq, gjeneratorë pikash dhe pajisje të tjera, duke luajtur një rol të rëndësishëm në zbulimin infra të kuq, shfaqjen e dritës dhe fusha të tjera.

Përgatitja e fletës epitaksiale me lazer GaAs varet kryesisht nga teknologjia e rritjes epitaksiale, duke përfshirë depozitimin kimik të avullit metal-organik (MOCVD), epitaksialin me rreze molekulare (MBE) dhe metoda të tjera. Këto teknika mund të kontrollojnë me saktësi trashësinë, përbërjen dhe strukturën kristalore të shtresës epitaksiale për të përftuar fletë epitaksiale me lazer GaAs me cilësi të lartë.

XKH ofron përshtatje të fletëve epitaksiale GaAs në struktura dhe trashësi të ndryshme, duke mbuluar një gamë të gjerë aplikimesh në komunikimet optike, VCSEL, fushat infra të kuqe dhe të dritës. Produktet e XKH prodhohen me pajisje të përparuara MOCVD për të siguruar performancë dhe besueshmëri të lartë. Për sa i përket logjistikës, XKH ka një gamë të gjerë kanalesh ndërkombëtare burimore, të cilat mund të trajtojnë në mënyrë fleksibile numrin e porosive dhe të ofrojnë shërbime me vlerë të shtuar, siç janë rafinimi dhe ndarja. Proceset efikase të dorëzimit sigurojnë dorëzimin në kohë dhe përmbushin kërkesat e klientëve për cilësi dhe kohë dorëzimi. Klientët mund të marrin mbështetje teknike gjithëpërfshirëse dhe shërbim pas shitjes pas mbërritjes për të siguruar që produkti të vihet në përdorim pa probleme.