4H-N 4 inç siC substrate meshë e prodhimit të karabit të silikonit Klasa e kërkimit bedel

4H-N 4 inç SiC me nënshtresë meshë për prodhimin e karabit të silikonit Klasa e rreme e kërkimit Imazhi i veçuar

Përshkrimi i shkurtër:

Vafera me nënshtresë me karabit silikoni 4 inç është një material me performancë të lartë me veti fizike dhe kimike të jashtëzakonshme. Është bërë nga materiali monokristal i karbitit të silikonit me pastërti të lartë me përçueshmëri të shkëlqyer termike, stabilitet mekanik dhe rezistencë ndaj temperaturës së lartë. Falë procesit të përgatitjes me precizion të lartë dhe materialeve me cilësi të lartë, ky çip është një nga materialet e preferuara për përgatitjen e pajisjeve elektronike me performancë të lartë në shumë fusha.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Aplikacionet

Vaferat me substrate me një kristal karabit silikoni 4 inç luajnë një rol të rëndësishëm në shumë fusha. Së pari, përdoret gjerësisht në industrinë e gjysmëpërçuesve në përgatitjen e pajisjeve elektronike me fuqi të lartë si tranzistorët e energjisë, qarqet e integruara dhe modulet e energjisë. Përçueshmëria e tij e lartë termike dhe rezistenca e lartë e temperaturës i mundësojnë atij të shpërndajë më mirë nxehtësinë dhe të sigurojë efikasitet dhe besueshmëri më të madhe të punës. Së dyti, vaferat e karbitit të silikonit përdoren gjithashtu në fushën e kërkimit për të kryer kërkime mbi materiale dhe pajisje të reja. Për më tepër, vaferat e karbitit të silikonit përdoren gjithashtu gjerësisht në optoelektronikë, të tilla si prodhimi i LED-ve dhe diodave lazer.

Specifikimet e meshës SiC 4 inç

Diametri i vaferës me nënshtresë me një kristal karabit silikoni 4 inç prej 4 inç (rreth 101,6 mm), përfundimi i sipërfaqes deri në Ra <0,5 nm, trashësia 600±25 μm. Përçueshmëria e vaferës është e tipit N ose P dhe mund të personalizohet sipas nevojave të klientit. Përveç kësaj, çipi gjithashtu ka një stabilitet të shkëlqyer mekanik, mund të përballojë një sasi të caktuar presioni dhe dridhjeje.

Vafera me substrate me një kristal karabit silikoni inç është një material me performancë të lartë i përdorur gjerësisht në fushat gjysmëpërçuese, kërkimore dhe optoelektronike. Ka përçueshmëri të shkëlqyer termike, qëndrueshmëri mekanike dhe rezistencë ndaj temperaturës së lartë, e cila është e përshtatshme për përgatitjen e pajisjeve elektronike me fuqi të lartë dhe kërkimin e materialeve të reja. Ne ofrojmë një sërë specifikimesh dhe opsionesh personalizimi për të përmbushur një sërë nevojash të klientëve. Ju lutemi kushtojini vëmendje faqes sonë të pavarur për të mësuar më shumë rreth informacionit të produktit të vaferave me karabit silikoni.

Punimet kryesore: Vafera me karabit silikoni, vafera me substrate me karabit silikoni, 4 inç, përçueshmëri termike, qëndrueshmëri mekanike, rezistencë ndaj temperaturës së lartë, tranzistorë të energjisë, qarqe të integruara, module të energjisë, LED, dioda lazer, përfundim sipërfaqësor, përçueshmëri, opsione të personalizuara